RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link