RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 47
    Около -74% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 9.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.8 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.3 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 9.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1413 left arrow 2323

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
модули RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
модули RAM
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
модули RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
модули RAM