Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 41

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 24
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 15.7
Скорость записи, Гб/сек

9.0 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2016 2865

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM