RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2938
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link