RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
30
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
17
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3714
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link