RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3711
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link