RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3711
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link