Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 34
    Около 12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 8500
    Около 3.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.6 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1479 left arrow 2665
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения