RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB против Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 9.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.7 left arrow 6.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1304 left arrow 1304

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
модули RAM
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
модули RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
модули RAM