RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Avexir Technologies Corporation T 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2801
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link