RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
86
Около 69% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
86
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
1658
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link