RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1254
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link