RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3458
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link