RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
4000
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link