RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link