RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link