RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
20.8
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3773
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link