RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2440
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link