RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
96
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
96
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1211
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link