RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.3
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.7
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3635
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link