SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 37
    Около -23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 17000
    Около 1.38 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.7 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.6 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2438 left arrow 2709
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения