RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1955
2880
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link