RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2427
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link