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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2427
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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