RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
66
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
66
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2535
1699
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link