RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,303.7
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
117
Около -368% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
117
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,094.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,303.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
3023
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link