RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
70
75
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
3,071.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
75
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1735
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link