RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2709
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link