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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.4
16.0
写入速度,GB/s
5.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2709
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
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