RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2588
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link