RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2925
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link