RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
58
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
58
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2591
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link