RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
58
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
58
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2591
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link