RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
87
Около -211% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3609
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link