RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
87
Около -278% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3171
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6DFR8A
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link