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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
94
左右 -422% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
18
读取速度,GB/s
1,882.0
20.9
写入速度,GB/s
1,165.4
16.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
3180
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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