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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
94
左右 -236% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
28
读取速度,GB/s
1,882.0
17.5
写入速度,GB/s
1,165.4
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
3104
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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