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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
15.7
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3368
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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