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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
94
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
54
读取速度,GB/s
1,882.0
10.4
写入速度,GB/s
1,165.4
8.2
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2259
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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