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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.4
15.0
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2247
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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