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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.1
20.6
写入速度,GB/s
7.8
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3819
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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