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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
9.8
16.0
写入速度,GB/s
4.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2947
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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