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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
5,135.8
13.4
写入速度,GB/s
2,343.1
9.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2298
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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