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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
15.2
写入速度,GB/s
2,201.1
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2791
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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