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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
13.6
19.1
写入速度,GB/s
7.8
17.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
3666
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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