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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.8
16.6
写入速度,GB/s
10.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
2561
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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