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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
2,614.5
17.2
写入速度,GB/s
1,145.9
15.5
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3614
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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