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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.3
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
2,614.5
19.6
写入速度,GB/s
1,145.9
17.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3879
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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