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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
2,614.5
18.9
写入速度,GB/s
1,145.9
13.6
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3264
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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