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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
2,614.5
14.1
写入速度,GB/s
1,145.9
10.7
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2679
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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