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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
2,614.5
15.4
写入速度,GB/s
1,145.9
12.6
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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